삼성, 평택 2라인 낸드 추가 투자...초격차 속도

2020-06-01 13:43:29 by 윤한석기자 기사 인쇄하기



삼성전자 평택캠퍼스 2라인 전경. (사진=삼성전자)

 【부산=IBS중앙방송】윤한석기자 =.낸드플래시 시장 1위 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 추가 생산시설 구축에 나섰다. 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)의 확산으로, 낸드 수요가 급증하는 가운데 경쟁사를 압도하는 적층 기술과 양산능력을 무기로 선두 지위를 더욱 공고히 하겠다는 뜻으로 해석된다.

1일 삼성전자는 오는 2021년 하반기 양산을 목표로, 평택 2라인에 낸드 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했다고 밝혔다. 투자규모는 7~8조원 수준으로 추산된다.

삼성전자 측은 "이번 투자는 인공지능, 사물인터넷 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드플래시 수요 확대에 대응하기 위한 조치"라며 "최근 언택트 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략"이라고 강조했다.

시장조사업체 D램 익스체인지에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 글로벌 낸드 시장에서 33.3%의 점유율로 시장 1위를 기록했다. 2위 키옥시아(점유율 19.0%)와의 격차는 14.3%포인트로, 삼성전자는 업계 우위의 5세대(9x단) 및 6세대(12x단) V낸드(삼성전자의 3D 낸드플래시 브랜드)를 중심으로 1분기 매출 45억1천만달러(약 5조500억원)를 기록하는 성과를 냈다.

삼성전자는 앞으로 평택 2라인에서 6세대 V낸드 중심의 생산량 확대에 집중한다는 계획이다. 나아가 연내에는 7세대(16x단) V낸드 기술 개발을 완료해 경쟁사와의 격차를 더욱 벌린다는 전략이다.

V낸드는 적층 단수가 높을수록 2D 낸드 대비 동일 면적에서 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 기술이다. 이는 단층 주택 지역을 아파트 단지로 개발해 가구수를 늘리는 것과 비슷한 원리로, 현재 128단 이상의 3D 낸드를 대량 생산할 수 있는 업체는 삼성전자가 유일하다.

이와 관련해 김기남 삼성전자 부회장은 지난 3월 열린 주주총회에서 "삼성전자는 (올해) 7세대 V낸드 개발로 기술 격차 확대에 주력할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

시장에서는 삼성전자의 이번 투자를 코로나19로 인한 낸드 수요 폭증에 대비한 조치로 보고 있다. 언택트 라이프스타일(온라인을 통한 경제활동)의 확산으로 낸드 공급이 수요를 따라가지 못하는 상황인 만큼 선제 투자로 낸드 시장 장악력을 강화하는 전략이라는 것이다.

도현우 NH투자증권 연구원은 "현재 낸드 시장은 공급이 수요를 따라가지 못하는 상황"이라며 "삼성전자의 낸드 추가 투자는 수요에 대비한 조치로 해석된다"고 말했다.

한편, 삼성전자 평택 캠퍼스는 2015년 조성된 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로, 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 구축돼 있다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위를 기록한 이후, 18년 이상 독보적인 제조 및 기술경쟁력을 앞세워 세계 1위 낸드플래시 시장 지위를 유지하고 있다. 지난해 7월에는 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산했다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT 산업 성장에 기여할 것"이라고 강조했다.


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